Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
EPC2019

EPC2019

TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
Číslo dílu
EPC2019
Výrobce/značka
Série
eGaN®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
GaNFET (Gallium Nitride)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
Die
Dodavatelský balíček zařízení
Die
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
50 mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
270pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
+6V, -4V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45799 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova EPC2019
EPC2019 Elektronické komponenty
EPC2019 Odbyt
EPC2019 Dodavatel
EPC2019 Distributor
EPC2019 Datová tabulka
EPC2019 Fotky
EPC2019 Cena
EPC2019 Nabídka
EPC2019 Nejnižší cena
EPC2019 Vyhledávání
EPC2019 Nákup
EPC2019 Chip