Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
EPC2020ENGR

EPC2020ENGR

TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
Číslo dílu
EPC2020ENGR
Výrobce/značka
Série
eGaN®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Digi-Reel®
Technika
GaNFET (Gallium Nitride)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
Die
Dodavatelský balíček zařízení
Die
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
60A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.2 mOhm @ 31A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 16mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
+6V, -4V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20635 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova EPC2020ENGR
EPC2020ENGR Elektronické komponenty
EPC2020ENGR Odbyt
EPC2020ENGR Dodavatel
EPC2020ENGR Distributor
EPC2020ENGR Datová tabulka
EPC2020ENGR Fotky
EPC2020ENGR Cena
EPC2020ENGR Nabídka
EPC2020ENGR Nejnižší cena
EPC2020ENGR Vyhledávání
EPC2020ENGR Nákup
EPC2020ENGR Chip