Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
EPC2023ENGR

EPC2023ENGR

TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
Číslo dílu
EPC2023ENGR
Výrobce/značka
Série
eGaN®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
GaNFET (Gallium Nitride)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
Die
Dodavatelský balíček zařízení
Die
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
60A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.3 mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 20mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2300pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
+6V, -4V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18669 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova EPC2023ENGR
EPC2023ENGR Elektronické komponenty
EPC2023ENGR Odbyt
EPC2023ENGR Dodavatel
EPC2023ENGR Distributor
EPC2023ENGR Datová tabulka
EPC2023ENGR Fotky
EPC2023ENGR Cena
EPC2023ENGR Nabídka
EPC2023ENGR Nejnižší cena
EPC2023ENGR Vyhledávání
EPC2023ENGR Nákup
EPC2023ENGR Chip