Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
EPC2025ENGR

EPC2025ENGR

TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
Číslo dílu
EPC2025ENGR
Výrobce/značka
Série
eGaN®
Stav sekce
Active
Obal
Tray
Technika
GaNFET (Gallium Nitride)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
Die
Dodavatelský balíček zařízení
Die Outline (12-Solder Bar)
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
150 mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
1.85nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
194pF @ 240V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
+6V, -4V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33345 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova EPC2025ENGR
EPC2025ENGR Elektronické komponenty
EPC2025ENGR Odbyt
EPC2025ENGR Dodavatel
EPC2025ENGR Distributor
EPC2025ENGR Datová tabulka
EPC2025ENGR Fotky
EPC2025ENGR Cena
EPC2025ENGR Nabídka
EPC2025ENGR Nejnižší cena
EPC2025ENGR Vyhledávání
EPC2025ENGR Nákup
EPC2025ENGR Chip