Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
EPC2032

EPC2032

TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
Číslo dílu
EPC2032
Výrobce/značka
Série
eGaN®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
GaNFET (Gallium Nitride)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
Die
Dodavatelský balíček zařízení
Die
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
48A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4 mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 11mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1530pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
+6V, -4V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18516 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova EPC2032
EPC2032 Elektronické komponenty
EPC2032 Odbyt
EPC2032 Dodavatel
EPC2032 Distributor
EPC2032 Datová tabulka
EPC2032 Fotky
EPC2032 Cena
EPC2032 Nabídka
EPC2032 Nejnižší cena
EPC2032 Vyhledávání
EPC2032 Nákup
EPC2032 Chip