Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
EPC2032ENGRT

EPC2032ENGRT

TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
Číslo dílu
EPC2032ENGRT
Výrobce/značka
Série
eGaN®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
GaNFET (Gallium Nitride)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
Die
Dodavatelský balíček zařízení
Die
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
48A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4 mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 11mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1530pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
+6V, -4V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36718 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova EPC2032ENGRT
EPC2032ENGRT Elektronické komponenty
EPC2032ENGRT Odbyt
EPC2032ENGRT Dodavatel
EPC2032ENGRT Distributor
EPC2032ENGRT Datová tabulka
EPC2032ENGRT Fotky
EPC2032ENGRT Cena
EPC2032ENGRT Nabídka
EPC2032ENGRT Nejnižší cena
EPC2032ENGRT Vyhledávání
EPC2032ENGRT Nákup
EPC2032ENGRT Chip