Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
EPC2033ENGRT

EPC2033ENGRT

TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
Číslo dílu
EPC2033ENGRT
Výrobce/značka
Série
eGaN®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
GaNFET (Gallium Nitride)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
Die
Dodavatelský balíček zařízení
Die
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
31A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 9mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1140pF @ 75V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
+6V, -4V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20036 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova EPC2033ENGRT
EPC2033ENGRT Elektronické komponenty
EPC2033ENGRT Odbyt
EPC2033ENGRT Dodavatel
EPC2033ENGRT Distributor
EPC2033ENGRT Datová tabulka
EPC2033ENGRT Fotky
EPC2033ENGRT Cena
EPC2033ENGRT Nabídka
EPC2033ENGRT Nejnižší cena
EPC2033ENGRT Vyhledávání
EPC2033ENGRT Nákup
EPC2033ENGRT Chip