Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
EPC2037ENGR

EPC2037ENGR

TRANS GAN 100V BUMPED DIE
Číslo dílu
EPC2037ENGR
Výrobce/značka
Série
eGaN®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
GaNFET (Gallium Nitride)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
Die
Dodavatelský balíček zařízení
Die
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
550 mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 80µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.12nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
12.5pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
+6V, -4V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32577 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova EPC2037ENGR
EPC2037ENGR Elektronické komponenty
EPC2037ENGR Odbyt
EPC2037ENGR Dodavatel
EPC2037ENGR Distributor
EPC2037ENGR Datová tabulka
EPC2037ENGR Fotky
EPC2037ENGR Cena
EPC2037ENGR Nabídka
EPC2037ENGR Nejnižší cena
EPC2037ENGR Vyhledávání
EPC2037ENGR Nákup
EPC2037ENGR Chip