Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
EPC2039

EPC2039

TRANS GAN 80V BUMPED DIE
Číslo dílu
EPC2039
Výrobce/značka
Série
eGaN®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
GaNFET (Gallium Nitride)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
Die
Dodavatelský balíček zařízení
Die
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 2mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
2.4nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
210pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
+6V, -4V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41340 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova EPC2039
EPC2039 Elektronické komponenty
EPC2039 Odbyt
EPC2039 Dodavatel
EPC2039 Distributor
EPC2039 Datová tabulka
EPC2039 Fotky
EPC2039 Cena
EPC2039 Nabídka
EPC2039 Nejnižší cena
EPC2039 Vyhledávání
EPC2039 Nákup
EPC2039 Chip