Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
EPC2039ENGRT

EPC2039ENGRT

TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
Číslo dílu
EPC2039ENGRT
Výrobce/značka
Série
eGaN®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Digi-Reel®
Technika
GaNFET (Gallium Nitride)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
Die
Dodavatelský balíček zařízení
Die
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
22 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 2mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
210pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
+6V, -4V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29480 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova EPC2039ENGRT
EPC2039ENGRT Elektronické komponenty
EPC2039ENGRT Odbyt
EPC2039ENGRT Dodavatel
EPC2039ENGRT Distributor
EPC2039ENGRT Datová tabulka
EPC2039ENGRT Fotky
EPC2039ENGRT Cena
EPC2039ENGRT Nabídka
EPC2039ENGRT Nejnižší cena
EPC2039ENGRT Vyhledávání
EPC2039ENGRT Nákup
EPC2039ENGRT Chip