Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
EPC2049ENGRT

EPC2049ENGRT

TRANS GAN 40V BUMPED DIE
Číslo dílu
EPC2049ENGRT
Výrobce/značka
Série
eGaN®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
GaNFET (Gallium Nitride)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
Die
Dodavatelský balíček zařízení
Die
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5 mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 6mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.6nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
805pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
+6V, -4V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41953 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova EPC2049ENGRT
EPC2049ENGRT Elektronické komponenty
EPC2049ENGRT Odbyt
EPC2049ENGRT Dodavatel
EPC2049ENGRT Distributor
EPC2049ENGRT Datová tabulka
EPC2049ENGRT Fotky
EPC2049ENGRT Cena
EPC2049ENGRT Nabídka
EPC2049ENGRT Nejnižší cena
EPC2049ENGRT Vyhledávání
EPC2049ENGRT Nákup
EPC2049ENGRT Chip