Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
Číslo dílu
EPC2107ENGRT
Výrobce/značka
Série
eGaN®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Digi-Reel®
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
9-VFBGA
Výkon - Max
-
Dodavatelský balíček zařízení
9-BGA (1.35x1.35)
Typ FET
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Funkce FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.7A, 500mA
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35899 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova EPC2107ENGRT
EPC2107ENGRT Elektronické komponenty
EPC2107ENGRT Odbyt
EPC2107ENGRT Dodavatel
EPC2107ENGRT Distributor
EPC2107ENGRT Datová tabulka
EPC2107ENGRT Fotky
EPC2107ENGRT Cena
EPC2107ENGRT Nabídka
EPC2107ENGRT Nejnižší cena
EPC2107ENGRT Vyhledávání
EPC2107ENGRT Nákup
EPC2107ENGRT Chip