Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
EPC2108

EPC2108

MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Číslo dílu
EPC2108
Výrobce/značka
Série
eGaN®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
9-VFBGA
Výkon - Max
-
Dodavatelský balíček zařízení
9-BGA (1.35x1.35)
Typ FET
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Funkce FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V, 100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.7A, 500mA
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39967 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova EPC2108
EPC2108 Elektronické komponenty
EPC2108 Odbyt
EPC2108 Dodavatel
EPC2108 Distributor
EPC2108 Datová tabulka
EPC2108 Fotky
EPC2108 Cena
EPC2108 Nabídka
EPC2108 Nejnižší cena
EPC2108 Vyhledávání
EPC2108 Nákup
EPC2108 Chip