Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
EPC8002

EPC8002

TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
Číslo dílu
EPC8002
Výrobce/značka
Série
eGaN®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
GaNFET (Gallium Nitride)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
Die
Dodavatelský balíček zařízení
Die
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
65V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
530 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
21pF @ 32.5V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
+6V, -4V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9827 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova EPC8002
EPC8002 Elektronické komponenty
EPC8002 Odbyt
EPC8002 Dodavatel
EPC8002 Distributor
EPC8002 Datová tabulka
EPC8002 Fotky
EPC8002 Cena
EPC8002 Nabídka
EPC8002 Nejnižší cena
EPC8002 Vyhledávání
EPC8002 Nákup
EPC8002 Chip