Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
EPC8009

EPC8009

TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
Číslo dílu
EPC8009
Výrobce/značka
Série
eGaN®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
GaNFET (Gallium Nitride)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
Die
Dodavatelský balíček zařízení
Die
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
65V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
130 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.45nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
52pF @ 32.5V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
+6V, -4V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24038 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova EPC8009
EPC8009 Elektronické komponenty
EPC8009 Odbyt
EPC8009 Dodavatel
EPC8009 Distributor
EPC8009 Datová tabulka
EPC8009 Fotky
EPC8009 Cena
EPC8009 Nabídka
EPC8009 Nejnižší cena
EPC8009 Vyhledávání
EPC8009 Nákup
EPC8009 Chip