Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
EPC8010

EPC8010

TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
Číslo dílu
EPC8010
Výrobce/značka
Série
eGaN®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
GaNFET (Gallium Nitride)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
Die
Dodavatelský balíček zařízení
Die
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
160 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.48nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
55pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
+6V, -4V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43589 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova EPC8010
EPC8010 Elektronické komponenty
EPC8010 Odbyt
EPC8010 Dodavatel
EPC8010 Distributor
EPC8010 Datová tabulka
EPC8010 Fotky
EPC8010 Cena
EPC8010 Nabídka
EPC8010 Nejnižší cena
EPC8010 Vyhledávání
EPC8010 Nákup
EPC8010 Chip