BSG0811NDATMA1
MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
Číslo dílu
BSG0811NDATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Výkon - Max
2.5W
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TISON-8
Typ FET
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funkce FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
19A, 41A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.4nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15646 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSG0811NDATMA1
BSG0811NDATMA1 Elektronické komponenty
BSG0811NDATMA1 Odbyt
BSG0811NDATMA1 Dodavatel
BSG0811NDATMA1 Distributor
BSG0811NDATMA1 Datová tabulka
BSG0811NDATMA1 Fotky
BSG0811NDATMA1 Cena
BSG0811NDATMA1 Nabídka
BSG0811NDATMA1 Nejnižší cena
BSG0811NDATMA1 Vyhledávání
BSG0811NDATMA1 Nákup
BSG0811NDATMA1 Chip