Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSG0813NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON
Číslo dílu
BSG0813NDIATMA1
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 155°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Výkon - Max
2.5W
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TISON-8
Typ FET
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funkce FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
19A, 33A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.4nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26905 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSG0813NDIATMA1
BSG0813NDIATMA1 Elektronické komponenty
BSG0813NDIATMA1 Odbyt
BSG0813NDIATMA1 Dodavatel
BSG0813NDIATMA1 Distributor
BSG0813NDIATMA1 Datová tabulka
BSG0813NDIATMA1 Fotky
BSG0813NDIATMA1 Cena
BSG0813NDIATMA1 Nabídka
BSG0813NDIATMA1 Nejnižší cena
BSG0813NDIATMA1 Vyhledávání
BSG0813NDIATMA1 Nákup
BSG0813NDIATMA1 Chip