Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSS119 E7796
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Číslo dílu
BSS119 E7796
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-SOT23-3
Ztráta energie (max.)
360mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
170mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
78pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17592 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSS119 E7796
BSS119 E7796 Elektronické komponenty
BSS119 E7796 Odbyt
BSS119 E7796 Dodavatel
BSS119 E7796 Distributor
BSS119 E7796 Datová tabulka
BSS119 E7796 Fotky
BSS119 E7796 Cena
BSS119 E7796 Nabídka
BSS119 E7796 Nejnižší cena
BSS119 E7796 Vyhledávání
BSS119 E7796 Nákup
BSS119 E7796 Chip