Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSS119E6327
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Číslo dílu
BSS119E6327
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-SOT23-3
Ztráta energie (max.)
360mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
170mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
78pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8361 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSS119E6327
BSS119E6327 Elektronické komponenty
BSS119E6327 Odbyt
BSS119E6327 Dodavatel
BSS119E6327 Distributor
BSS119E6327 Datová tabulka
BSS119E6327 Fotky
BSS119E6327 Cena
BSS119E6327 Nabídka
BSS119E6327 Nejnižší cena
BSS119E6327 Vyhledávání
BSS119E6327 Nákup
BSS119E6327 Chip