Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSZ013NE2LS5IATMA1
MOSFET N-CH 25V 32A 8SON
Číslo dílu
BSZ013NE2LS5IATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TSDSON-8-FL
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
32A (Ta), 40A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3400pF @ 12V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24682 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSZ013NE2LS5IATMA1
BSZ013NE2LS5IATMA1 Elektronické komponenty
BSZ013NE2LS5IATMA1 Odbyt
BSZ013NE2LS5IATMA1 Dodavatel
BSZ013NE2LS5IATMA1 Distributor
BSZ013NE2LS5IATMA1 Datová tabulka
BSZ013NE2LS5IATMA1 Fotky
BSZ013NE2LS5IATMA1 Cena
BSZ013NE2LS5IATMA1 Nabídka
BSZ013NE2LS5IATMA1 Nejnižší cena
BSZ013NE2LS5IATMA1 Vyhledávání
BSZ013NE2LS5IATMA1 Nákup
BSZ013NE2LS5IATMA1 Chip