Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSZ014NE2LS5IFATMA1
MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON
Číslo dílu
BSZ014NE2LS5IFATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TSDSON-8-FL
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Body)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
31A (Ta), 40A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.45 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2300pF @ 12V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32814 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSZ014NE2LS5IFATMA1
BSZ014NE2LS5IFATMA1 Elektronické komponenty
BSZ014NE2LS5IFATMA1 Odbyt
BSZ014NE2LS5IFATMA1 Dodavatel
BSZ014NE2LS5IFATMA1 Distributor
BSZ014NE2LS5IFATMA1 Datová tabulka
BSZ014NE2LS5IFATMA1 Fotky
BSZ014NE2LS5IFATMA1 Cena
BSZ014NE2LS5IFATMA1 Nabídka
BSZ014NE2LS5IFATMA1 Nejnižší cena
BSZ014NE2LS5IFATMA1 Vyhledávání
BSZ014NE2LS5IFATMA1 Nákup
BSZ014NE2LS5IFATMA1 Chip