BSZ0910NDXTMA1
DIFFERENTIATED MOSFETS
Číslo dílu
BSZ0910NDXTMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Výkon - Max
1.9W (Ta), 31W (Tc)
Dodavatelský balíček zařízení
PG-WISON-8
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.5A (Ta), 25A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.6nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10126 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSZ0910NDXTMA1
BSZ0910NDXTMA1 Elektronické komponenty
BSZ0910NDXTMA1 Odbyt
BSZ0910NDXTMA1 Dodavatel
BSZ0910NDXTMA1 Distributor
BSZ0910NDXTMA1 Datová tabulka
BSZ0910NDXTMA1 Fotky
BSZ0910NDXTMA1 Cena
BSZ0910NDXTMA1 Nabídka
BSZ0910NDXTMA1 Nejnižší cena
BSZ0910NDXTMA1 Vyhledávání
BSZ0910NDXTMA1 Nákup
BSZ0910NDXTMA1 Chip