Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSZ215CHXTMA1
MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
Číslo dílu
BSZ215CHXTMA1
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Výkon - Max
2.5W
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TSDSON-8-FL
Typ FET
N and P-Channel Complementary
Funkce FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.1A, 3.2A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
55 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 110µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
2.8nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
419pF @ 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36132 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSZ215CHXTMA1
BSZ215CHXTMA1 Elektronické komponenty
BSZ215CHXTMA1 Odbyt
BSZ215CHXTMA1 Dodavatel
BSZ215CHXTMA1 Distributor
BSZ215CHXTMA1 Datová tabulka
BSZ215CHXTMA1 Fotky
BSZ215CHXTMA1 Cena
BSZ215CHXTMA1 Nabídka
BSZ215CHXTMA1 Nejnižší cena
BSZ215CHXTMA1 Vyhledávání
BSZ215CHXTMA1 Nákup
BSZ215CHXTMA1 Chip