BSZ22DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Číslo dílu
BSZ22DN20NS3GATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TSDSON-8
Ztráta energie (max.)
34W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
225 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 13µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.6nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
430pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40714 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSZ22DN20NS3GATMA1
BSZ22DN20NS3GATMA1 Elektronické komponenty
BSZ22DN20NS3GATMA1 Odbyt
BSZ22DN20NS3GATMA1 Dodavatel
BSZ22DN20NS3GATMA1 Distributor
BSZ22DN20NS3GATMA1 Datová tabulka
BSZ22DN20NS3GATMA1 Fotky
BSZ22DN20NS3GATMA1 Cena
BSZ22DN20NS3GATMA1 Nabídka
BSZ22DN20NS3GATMA1 Nejnižší cena
BSZ22DN20NS3GATMA1 Vyhledávání
BSZ22DN20NS3GATMA1 Nákup
BSZ22DN20NS3GATMA1 Chip