Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BUZ30AH3045AATMA1
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
Číslo dílu
BUZ30AH3045AATMA1
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
130 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17050 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BUZ30AH3045AATMA1
BUZ30AH3045AATMA1 Elektronické komponenty
BUZ30AH3045AATMA1 Odbyt
BUZ30AH3045AATMA1 Dodavatel
BUZ30AH3045AATMA1 Distributor
BUZ30AH3045AATMA1 Datová tabulka
BUZ30AH3045AATMA1 Fotky
BUZ30AH3045AATMA1 Cena
BUZ30AH3045AATMA1 Nabídka
BUZ30AH3045AATMA1 Nejnižší cena
BUZ30AH3045AATMA1 Vyhledávání
BUZ30AH3045AATMA1 Nákup
BUZ30AH3045AATMA1 Chip