Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BUZ30AHXKSA1
MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
Číslo dílu
BUZ30AHXKSA1
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO-220-3
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
130 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14136 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BUZ30AHXKSA1
BUZ30AHXKSA1 Elektronické komponenty
BUZ30AHXKSA1 Odbyt
BUZ30AHXKSA1 Dodavatel
BUZ30AHXKSA1 Distributor
BUZ30AHXKSA1 Datová tabulka
BUZ30AHXKSA1 Fotky
BUZ30AHXKSA1 Cena
BUZ30AHXKSA1 Nabídka
BUZ30AHXKSA1 Nejnižší cena
BUZ30AHXKSA1 Vyhledávání
BUZ30AHXKSA1 Nákup
BUZ30AHXKSA1 Chip