Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BUZ31HXKSA1
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
Číslo dílu
BUZ31HXKSA1
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO-220-3
Ztráta energie (max.)
95W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
14.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 9A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1120pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36432 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BUZ31HXKSA1
BUZ31HXKSA1 Elektronické komponenty
BUZ31HXKSA1 Odbyt
BUZ31HXKSA1 Dodavatel
BUZ31HXKSA1 Distributor
BUZ31HXKSA1 Datová tabulka
BUZ31HXKSA1 Fotky
BUZ31HXKSA1 Cena
BUZ31HXKSA1 Nabídka
BUZ31HXKSA1 Nejnižší cena
BUZ31HXKSA1 Vyhledávání
BUZ31HXKSA1 Nákup
BUZ31HXKSA1 Chip