Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BUZ31L H
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
Číslo dílu
BUZ31L H
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO-220-3
Ztráta energie (max.)
95W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5237 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BUZ31L H
BUZ31L H Elektronické komponenty
BUZ31L H Odbyt
BUZ31L H Dodavatel
BUZ31L H Distributor
BUZ31L H Datová tabulka
BUZ31L H Fotky
BUZ31L H Cena
BUZ31L H Nabídka
BUZ31L H Nejnižší cena
BUZ31L H Vyhledávání
BUZ31L H Nákup
BUZ31L H Chip