Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPAN60R800CEXKSA1
MOSFET NCH 600V 8.4A TO220
Číslo dílu
IPAN60R800CEXKSA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO220 Full Pack
Ztráta energie (max.)
27W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Super Junction
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
800 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 170µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17.2nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
373pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31468 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPAN60R800CEXKSA1
IPAN60R800CEXKSA1 Elektronické komponenty
IPAN60R800CEXKSA1 Odbyt
IPAN60R800CEXKSA1 Dodavatel
IPAN60R800CEXKSA1 Distributor
IPAN60R800CEXKSA1 Datová tabulka
IPAN60R800CEXKSA1 Fotky
IPAN60R800CEXKSA1 Cena
IPAN60R800CEXKSA1 Nabídka
IPAN60R800CEXKSA1 Nejnižší cena
IPAN60R800CEXKSA1 Vyhledávání
IPAN60R800CEXKSA1 Nákup
IPAN60R800CEXKSA1 Chip