Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPAN65R650CEXKSA1
MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3
Číslo dílu
IPAN65R650CEXKSA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO220 Full Pack
Ztráta energie (max.)
28W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Super Junction
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10.1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 210µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38821 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPAN65R650CEXKSA1
IPAN65R650CEXKSA1 Elektronické komponenty
IPAN65R650CEXKSA1 Odbyt
IPAN65R650CEXKSA1 Dodavatel
IPAN65R650CEXKSA1 Distributor
IPAN65R650CEXKSA1 Datová tabulka
IPAN65R650CEXKSA1 Fotky
IPAN65R650CEXKSA1 Cena
IPAN65R650CEXKSA1 Nabídka
IPAN65R650CEXKSA1 Nejnižší cena
IPAN65R650CEXKSA1 Vyhledávání
IPAN65R650CEXKSA1 Nákup
IPAN65R650CEXKSA1 Chip