Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB407N30NATMA1
MOSFET N-CH TO263-3
Číslo dílu
IPB407N30NATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
40.7 mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
87nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7180pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46118 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB407N30NATMA1
IPB407N30NATMA1 Elektronické komponenty
IPB407N30NATMA1 Odbyt
IPB407N30NATMA1 Dodavatel
IPB407N30NATMA1 Distributor
IPB407N30NATMA1 Datová tabulka
IPB407N30NATMA1 Fotky
IPB407N30NATMA1 Cena
IPB407N30NATMA1 Nabídka
IPB407N30NATMA1 Nejnižší cena
IPB407N30NATMA1 Vyhledávání
IPB407N30NATMA1 Nákup
IPB407N30NATMA1 Chip