Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB45N04S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2
Číslo dílu
IPB45N04S4L08ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3-2
Ztráta energie (max.)
45W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.6 mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 17µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2340pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
+20V, -16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28365 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB45N04S4L08ATMA1
IPB45N04S4L08ATMA1 Elektronické komponenty
IPB45N04S4L08ATMA1 Odbyt
IPB45N04S4L08ATMA1 Dodavatel
IPB45N04S4L08ATMA1 Distributor
IPB45N04S4L08ATMA1 Datová tabulka
IPB45N04S4L08ATMA1 Fotky
IPB45N04S4L08ATMA1 Cena
IPB45N04S4L08ATMA1 Nabídka
IPB45N04S4L08ATMA1 Nejnižší cena
IPB45N04S4L08ATMA1 Vyhledávání
IPB45N04S4L08ATMA1 Nákup
IPB45N04S4L08ATMA1 Chip