Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPC100N04S51R2ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
Číslo dílu
IPC100N04S51R2ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TDSON-8
Ztráta energie (max.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 90µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
131nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7650pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
7V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5230 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPC100N04S51R2ATMA1
IPC100N04S51R2ATMA1 Elektronické komponenty
IPC100N04S51R2ATMA1 Odbyt
IPC100N04S51R2ATMA1 Dodavatel
IPC100N04S51R2ATMA1 Distributor
IPC100N04S51R2ATMA1 Datová tabulka
IPC100N04S51R2ATMA1 Fotky
IPC100N04S51R2ATMA1 Cena
IPC100N04S51R2ATMA1 Nabídka
IPC100N04S51R2ATMA1 Nejnižší cena
IPC100N04S51R2ATMA1 Vyhledávání
IPC100N04S51R2ATMA1 Nákup
IPC100N04S51R2ATMA1 Chip