IPC100N04S51R7ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
Číslo dílu
IPC100N04S51R7ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TDSON-8
Ztráta energie (max.)
115W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 60µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
83nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4810pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
7V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42649 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPC100N04S51R7ATMA1
IPC100N04S51R7ATMA1 Elektronické komponenty
IPC100N04S51R7ATMA1 Odbyt
IPC100N04S51R7ATMA1 Dodavatel
IPC100N04S51R7ATMA1 Distributor
IPC100N04S51R7ATMA1 Datová tabulka
IPC100N04S51R7ATMA1 Fotky
IPC100N04S51R7ATMA1 Cena
IPC100N04S51R7ATMA1 Nabídka
IPC100N04S51R7ATMA1 Nejnižší cena
IPC100N04S51R7ATMA1 Vyhledávání
IPC100N04S51R7ATMA1 Nákup
IPC100N04S51R7ATMA1 Chip