Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD40N03S4L08ATMA1
MOSFET N-CH TO252-3
Číslo dílu
IPD40N03S4L08ATMA1
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3-11
Ztráta energie (max.)
42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 13µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1520pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23455 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD40N03S4L08ATMA1
IPD40N03S4L08ATMA1 Elektronické komponenty
IPD40N03S4L08ATMA1 Odbyt
IPD40N03S4L08ATMA1 Dodavatel
IPD40N03S4L08ATMA1 Distributor
IPD40N03S4L08ATMA1 Datová tabulka
IPD40N03S4L08ATMA1 Fotky
IPD40N03S4L08ATMA1 Cena
IPD40N03S4L08ATMA1 Nabídka
IPD40N03S4L08ATMA1 Nejnižší cena
IPD40N03S4L08ATMA1 Vyhledávání
IPD40N03S4L08ATMA1 Nákup
IPD40N03S4L08ATMA1 Chip