Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD49CN10N G
MOSFET N-CH 100V 20A TO252-3
Číslo dílu
IPD49CN10N G
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
44W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
49 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 20µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1090pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50193 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD49CN10N G
IPD49CN10N G Elektronické komponenty
IPD49CN10N G Odbyt
IPD49CN10N G Dodavatel
IPD49CN10N G Distributor
IPD49CN10N G Datová tabulka
IPD49CN10N G Fotky
IPD49CN10N G Cena
IPD49CN10N G Nabídka
IPD49CN10N G Nejnižší cena
IPD49CN10N G Vyhledávání
IPD49CN10N G Nákup
IPD49CN10N G Chip