IPD800N06NGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 16A TO-252
Číslo dílu
IPD800N06NGBTMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
47W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
80 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 16µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
370pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15527 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD800N06NGBTMA1
IPD800N06NGBTMA1 Elektronické komponenty
IPD800N06NGBTMA1 Odbyt
IPD800N06NGBTMA1 Dodavatel
IPD800N06NGBTMA1 Distributor
IPD800N06NGBTMA1 Datová tabulka
IPD800N06NGBTMA1 Fotky
IPD800N06NGBTMA1 Cena
IPD800N06NGBTMA1 Nabídka
IPD800N06NGBTMA1 Nejnižší cena
IPD800N06NGBTMA1 Vyhledávání
IPD800N06NGBTMA1 Nákup
IPD800N06NGBTMA1 Chip