Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD80N04S306ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Číslo dílu
IPD80N04S306ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
100W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 52µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3250pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8720 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD80N04S306ATMA1
IPD80N04S306ATMA1 Elektronické komponenty
IPD80N04S306ATMA1 Odbyt
IPD80N04S306ATMA1 Dodavatel
IPD80N04S306ATMA1 Distributor
IPD80N04S306ATMA1 Datová tabulka
IPD80N04S306ATMA1 Fotky
IPD80N04S306ATMA1 Cena
IPD80N04S306ATMA1 Nabídka
IPD80N04S306ATMA1 Nejnižší cena
IPD80N04S306ATMA1 Vyhledávání
IPD80N04S306ATMA1 Nákup
IPD80N04S306ATMA1 Chip