IPD80R1K4CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Číslo dílu
IPD80R1K4CEBTMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252-3
Ztráta energie (max.)
63W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 240µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
570pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15494 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD80R1K4CEBTMA1
IPD80R1K4CEBTMA1 Elektronické komponenty
IPD80R1K4CEBTMA1 Odbyt
IPD80R1K4CEBTMA1 Dodavatel
IPD80R1K4CEBTMA1 Distributor
IPD80R1K4CEBTMA1 Datová tabulka
IPD80R1K4CEBTMA1 Fotky
IPD80R1K4CEBTMA1 Cena
IPD80R1K4CEBTMA1 Nabídka
IPD80R1K4CEBTMA1 Nejnižší cena
IPD80R1K4CEBTMA1 Vyhledávání
IPD80R1K4CEBTMA1 Nákup
IPD80R1K4CEBTMA1 Chip