Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPI020N06NAKSA1
MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3
Číslo dílu
IPI020N06NAKSA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO262-3
Ztráta energie (max.)
3W (Ta), 214W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
29A (Ta), 120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 143µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
106nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7800pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29957 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPI020N06NAKSA1
IPI020N06NAKSA1 Elektronické komponenty
IPI020N06NAKSA1 Odbyt
IPI020N06NAKSA1 Dodavatel
IPI020N06NAKSA1 Distributor
IPI020N06NAKSA1 Datová tabulka
IPI020N06NAKSA1 Fotky
IPI020N06NAKSA1 Cena
IPI020N06NAKSA1 Nabídka
IPI020N06NAKSA1 Nejnižší cena
IPI020N06NAKSA1 Vyhledávání
IPI020N06NAKSA1 Nákup
IPI020N06NAKSA1 Chip