Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPI030N10N3GHKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Číslo dílu
IPI030N10N3GHKSA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO262-3
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 275µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
206nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
14800pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5987 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPI030N10N3GHKSA1
IPI030N10N3GHKSA1 Elektronické komponenty
IPI030N10N3GHKSA1 Odbyt
IPI030N10N3GHKSA1 Dodavatel
IPI030N10N3GHKSA1 Distributor
IPI030N10N3GHKSA1 Datová tabulka
IPI030N10N3GHKSA1 Fotky
IPI030N10N3GHKSA1 Cena
IPI030N10N3GHKSA1 Nabídka
IPI030N10N3GHKSA1 Nejnižší cena
IPI030N10N3GHKSA1 Vyhledávání
IPI030N10N3GHKSA1 Nákup
IPI030N10N3GHKSA1 Chip