Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPI057N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
Číslo dílu
IPI057N08N3 G
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO262-3
Ztráta energie (max.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4750pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22113 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPI057N08N3 G
IPI057N08N3 G Elektronické komponenty
IPI057N08N3 G Odbyt
IPI057N08N3 G Dodavatel
IPI057N08N3 G Distributor
IPI057N08N3 G Datová tabulka
IPI057N08N3 G Fotky
IPI057N08N3 G Cena
IPI057N08N3 G Nabídka
IPI057N08N3 G Nejnižší cena
IPI057N08N3 G Vyhledávání
IPI057N08N3 G Nákup
IPI057N08N3 G Chip