Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPI100N04S4H2AKSA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3-1
Číslo dílu
IPI100N04S4H2AKSA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO262-3
Ztráta energie (max.)
115W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 70µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7180pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31476 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPI100N04S4H2AKSA1
IPI100N04S4H2AKSA1 Elektronické komponenty
IPI100N04S4H2AKSA1 Odbyt
IPI100N04S4H2AKSA1 Dodavatel
IPI100N04S4H2AKSA1 Distributor
IPI100N04S4H2AKSA1 Datová tabulka
IPI100N04S4H2AKSA1 Fotky
IPI100N04S4H2AKSA1 Cena
IPI100N04S4H2AKSA1 Nabídka
IPI100N04S4H2AKSA1 Nejnižší cena
IPI100N04S4H2AKSA1 Vyhledávání
IPI100N04S4H2AKSA1 Nákup
IPI100N04S4H2AKSA1 Chip