Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPI100N06S3-04
MOSFET N-CH 55V 100A TO-262
Číslo dílu
IPI100N06S3-04
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO262-3
Ztráta energie (max.)
214W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
314nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
14230pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36122 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPI100N06S3-04
IPI100N06S3-04 Elektronické komponenty
IPI100N06S3-04 Odbyt
IPI100N06S3-04 Dodavatel
IPI100N06S3-04 Distributor
IPI100N06S3-04 Datová tabulka
IPI100N06S3-04 Fotky
IPI100N06S3-04 Cena
IPI100N06S3-04 Nabídka
IPI100N06S3-04 Nejnižší cena
IPI100N06S3-04 Vyhledávání
IPI100N06S3-04 Nákup
IPI100N06S3-04 Chip