Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPP50R190CEXKSA1
MOSFET N-CH 500V 18.5A PG-TO-220
Číslo dílu
IPP50R190CEXKSA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™ CE
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO-220-3
Ztráta energie (max.)
127W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
190 mOhm @ 6.2A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 510µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
47.2nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1137pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
13V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42016 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPP50R190CEXKSA1
IPP50R190CEXKSA1 Elektronické komponenty
IPP50R190CEXKSA1 Odbyt
IPP50R190CEXKSA1 Dodavatel
IPP50R190CEXKSA1 Distributor
IPP50R190CEXKSA1 Datová tabulka
IPP50R190CEXKSA1 Fotky
IPP50R190CEXKSA1 Cena
IPP50R190CEXKSA1 Nabídka
IPP50R190CEXKSA1 Nejnižší cena
IPP50R190CEXKSA1 Vyhledávání
IPP50R190CEXKSA1 Nákup
IPP50R190CEXKSA1 Chip