Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPP50R199CPHKSA1
MOSFET N-CH 550V TO-220
Číslo dílu
IPP50R199CPHKSA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO220-3-1
Ztráta energie (max.)
139W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
550V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
199 mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 660µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31243 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPP50R199CPHKSA1
IPP50R199CPHKSA1 Elektronické komponenty
IPP50R199CPHKSA1 Odbyt
IPP50R199CPHKSA1 Dodavatel
IPP50R199CPHKSA1 Distributor
IPP50R199CPHKSA1 Datová tabulka
IPP50R199CPHKSA1 Fotky
IPP50R199CPHKSA1 Cena
IPP50R199CPHKSA1 Nabídka
IPP50R199CPHKSA1 Nejnižší cena
IPP50R199CPHKSA1 Vyhledávání
IPP50R199CPHKSA1 Nákup
IPP50R199CPHKSA1 Chip