Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPP530N15N3GXKSA1

IPP530N15N3GXKSA1

MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3
Číslo dílu
IPP530N15N3GXKSA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO220-3-1
Ztráta energie (max.)
68W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
53 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 35µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
887pF @ 75V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
8V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8513 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IPP530N15N3GXKSA1
IPP530N15N3GXKSA1 Elektronické komponenty
IPP530N15N3GXKSA1 Odbyt
IPP530N15N3GXKSA1 Dodavatel
IPP530N15N3GXKSA1 Distributor
IPP530N15N3GXKSA1 Datová tabulka
IPP530N15N3GXKSA1 Fotky
IPP530N15N3GXKSA1 Cena
IPP530N15N3GXKSA1 Nabídka
IPP530N15N3GXKSA1 Nejnižší cena
IPP530N15N3GXKSA1 Vyhledávání
IPP530N15N3GXKSA1 Nákup
IPP530N15N3GXKSA1 Chip