Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF200B211
MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
Číslo dílu
IRF200B211
Výrobce/značka
Série
HEXFET®, StrongIRFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
80W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
170 mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
790pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15872 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF200B211
IRF200B211 Elektronické komponenty
IRF200B211 Odbyt
IRF200B211 Dodavatel
IRF200B211 Distributor
IRF200B211 Datová tabulka
IRF200B211 Fotky
IRF200B211 Cena
IRF200B211 Nabídka
IRF200B211 Nejnižší cena
IRF200B211 Vyhledávání
IRF200B211 Nákup
IRF200B211 Chip