Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF200P223
MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Číslo dílu
IRF200P223
Výrobce/značka
Série
StrongIRFET™
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AC
Ztráta energie (max.)
313W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
102nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5094pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10964 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF200P223
IRF200P223 Elektronické komponenty
IRF200P223 Odbyt
IRF200P223 Dodavatel
IRF200P223 Distributor
IRF200P223 Datová tabulka
IRF200P223 Fotky
IRF200P223 Cena
IRF200P223 Nabídka
IRF200P223 Nejnižší cena
IRF200P223 Vyhledávání
IRF200P223 Nákup
IRF200P223 Chip